IPB025N10N3GE818XT

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MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

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规格书
安装风格	SMD/SMT
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	180 A
系列	IPB025N10
RDS（ON）	2.5 mOhms
封装	Reel
功率耗散	300 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	PG-TO263-7
栅极电荷Qg	155 nC
典型关闭延迟时间	84 ns
零件号别名	IPB025N10N3GE8187ATMA1 SP000939338
上升时间	58 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	100 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	28 ns
工厂包装数量	1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
宽度	9.25 mm
Qg - Gate Charge	155 nC
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	180 A
长度	10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	2.5 mOhms
身高	4.4 mm
Pd - Power Dissipation	300 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
IPB025N10N3 G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
IPB025N10N3G	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263
IPB025N10N3GATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263
IPB025N08N3 G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 120A
IPB025N08N3G	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB025N08N3GATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263

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